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*測不準——碳化硅SiC動態特性導致di/dt加快，電流采樣方案需要具備納秒級的解析度，否則測不準器件的動態特性
*測不全——碳化硅SiC高速開關，測試回路雜感高會帶來的電壓尖峰，在器件工作電壓范圍內測不全
*可靠性差——測試驅動電路需要具備的抗EMI力，否則易損壞被測器件，導致設備可靠性差
Edison功率模塊動態特性測試系統可沉著應對SiC動態特性差異帶來的測試難點。創新性層疊母排和電容結構設計，測試主回路雜感低至 6nH（Performance版）。高速、高頻、高可靠、高共模瞬變抗擾度（CMTI）使SiC驅動器性能業界。使用泰克公司推出的新五系高分辨率示波器和專門用于高壓差分信號測試的光隔離探頭，為三代半導體器件動態特性表征帶來更高帶寬和更高測試精度。
10k短路電流測試能力，放心探索產品極限。
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